На главную
 
 Президиум 
 Ученые 
 Структура СО РАН 
 Деятельность 
 Инновации 
 Профсоюз ННЦ 
 Ресурсы 
 Разработки Сибирского отделения РАН, используемые и предлагаемые к применениюSBRAS.INFOФедеральные целевые программыПресс-служба 

Текущие события

Архив

Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН объявляет конкурс на замещение должностей


Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН объявляет конкурс на замещение должностей научных работников на условиях срочного трудового договора по следующим вакансиям:
в отделе импульсной техники — научный сотрудник (1 место);
в отделе высоких плотностей энергии — ведущий научный сотрудник (1 место), старший научный сотрудник (1 место), научный сотрудник (2 места);
в отделе физической электроники — ведущий научный сотрудник (1 место), научный сотрудник (3 места);
в лаборатории плазменной эмиссионной электроники — ведущий научный сотрудник (1 место), старший научный сотрудник (1 место), научный сотрудник (1 место);
в лаборатории плазменных источников — научный сотрудник (1 место 0.8 ставки), научный сотрудник (1 место, внебюджетная ставка);
в лаборатории высокочастотной электроники — ведущий научный сотрудник (1 место), научный сотрудник (2 места);
в лаборатории оптических излучений — старший научный сотрудник (1 место);
в лаборатории вакуумной электроники — старший научный сотрудник (1 место);
в лаборатории прикладной электроники — научный сотрудник (1 место);
в лаборатории теоретической физики — научный сотрудник (1 место 0.75 ставки).

Дата проведения конкурса 01.09.2008 г.

Перечень необходимых документов опубликован на сайте ИСЭ СО РАН (http://www.hcei.tsc.ru).

Заявления и необходимые документы направлять по адресу:
634055, г. Томск, просп. Академический 2/3, ИСЭ СО РАН, ученому секретарю.

Справки по тел. 8(3822) 491-947 или 8(3822) 491-357.





Центр ИТ СО РАН © 1997-2025 Президиум Сибирского отделения Российской академии наук webmaster@sbras.nsc.ru