|
|
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук |
объявляет конкурс на замещение вакантных должностей младших научных сотрудников в лаборатории плазменной эмиссионной электроники: 1 место 0,25 ставки (требуется наличие научных трудов и опыт исследований в области микросекундных электронно-пучковых источников с полым катодом и их применений), 1 место 0,25 ставки (требуется наличие научных трудов и опыт исследований источников электронных пучков и плазмы с открытым дуговым и пеннинговским разрядом и их применений), 1 место 0,5 ставки (требуется наличие научных трудов и опыт исследований и разработок систем электропитания источников плазмы и электронных пучков, в том числе частотных и с выводом пучка в атмосферу). Трудоустройство на условиях срочного трудового договора с оплатой за счет средств субсидии.
Дата проведения конкурса 31.10.2012 г.
Положение о конкурсе опубликовано на сайте ИСЭ СО РАН (www.hcei.tsc.ru).
Общие требования к кандидатам в соответствии с квалификационными характеристиками, утвержденными Постановлением Президиума РАН № 196 от 25.03.2008 г.
Заявления и необходимые документы направлять по адресу: 634055, г. Томск, просп. Академический 2/3, ИСЭ СО РАН, ученому секретарю.
Справки по тел. 8(3822) 491-947
|
 |
